Перейти к основному содержанию

Московские учёные открыли путь к получению новых композитов для 3D-печати

Прогресс связан с разработкой технологии промышленного производства графена при комнатной температуре.

В четверг, 10 июня, стало известно, что учёные Национального государственного исследовательского технологического университета «МИСиС» разработали метод низкотемпературного синтеза мультиграфеновых плёнок. Полученный таким образом графен может служить добавкой к силуминовым порошкам (сплав алюминия и кремния) для получения качественно новых композитных материалов для 3D-печати, сообщает пресс-служба вуза.

Свойство графена улучшать механические и функциональные свойства изделий из композитных материалов уже достаточно широко используется на практике. Однако в промышленных целях он сегодня производится электрохимическим способом - из расплавов солей. Для этого требуются температуры от 500 до 700 градусов по Цельсию. При таких температурах невозможен процесс осаждения графена на легкоплавкие металлы, такие как алюминий. То есть существующий способ сужает круг возможных композитов, модифицированных графеном.

«Нашей задачей было производство значительного количества порошкового композита на основе графена и силумина для 3D-печати. Для этого мы проводили электрохимическое осаждение графена из слабого раствора серной кислоты с добавлением сахарозы. При осаждении графена на порошок силумина, температура раствора не превышала 25-30 градусов по Цельсию. Затем полученные композиты подвергались сплавлению методом SLM с получением 3D-изделий», — рассказал соавтор исследования, инженер кафедры функциональных наносистем и высокотемпературных материалов НИТУ «МИСиС» Сергей Ерёмин.

Напомним, что в Кузбасском государственном техническом университете разработан и успешно протестирован инновационный способ производства углеродных волокон на основе термического растворения углей для создания композитных материалов. Они могут быть использованы в авиационной и космической промышленности, машиностроении, энергетике, электронике.